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簡(jiǎn)要描述:Y2HGold Chemically Competent Cell/Chemically 酵母感受態(tài)細(xì)胞保存條件:-80℃
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詳細(xì)介紹
品牌 | Abnbio | 貨號(hào) | ABG701-50 |
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規(guī)格 | 50支100ul | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
主要用途 | 細(xì)胞培養(yǎng) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
Y2HGold Chemically Competent Cell 酵母感受態(tài)細(xì)胞
基因型:
=MATa, trp1-901, leu2-3, 112, ura3-52, his3-200, gal4Δ,gal80Δ,LYS2 : : GAL1UAS–Gal1TATA–His3,GAL2UAS–Gal2TATA–Ade2 URA3 : : MEL1UAS–Mel1TATA AUR1-C MEL1
簡(jiǎn)要說明:
Y2HGold菌株是GAL4系統(tǒng)酵母雙雜實(shí)驗(yàn)用菌株,MATa型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)?;蚺cMATα型酵母菌株Y187通過mating操作進(jìn)行蛋白互作驗(yàn)證或篩庫(kù)試驗(yàn)。Y2HGold有四個(gè)報(bào)告基因:AbAr,HIS3,ADE2,MEL1,分別由三種不同的啟動(dòng)子 (G1,G2,M1)啟動(dòng),這三種啟動(dòng)子只有GAL4識(shí)別的17 bp核心區(qū)相同,其余部分均不同,大大降低了酵母雙雜假陽(yáng)性發(fā)生的概率。此外新報(bào)告基因AbAr與以前的營(yíng)養(yǎng)缺陷報(bào)告基因相比具有更低背景的優(yōu)點(diǎn),也可以降低酵母雙雜假陽(yáng)性發(fā)生的概率。Y2HGold感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,pGADT7質(zhì)粒檢測(cè)轉(zhuǎn)化效率>104cfu/μg DNA。
操作說明:
1. 取pBait-AbAi質(zhì)粒5µg,BstBI或 BbsI酶切1h,回收;
2. 取一支無菌的1.5ml EP管,依次加入預(yù)冷的預(yù)冷的線性pBait-AbAi質(zhì)粒1-5 µg(體積不高于15 µl),Carrier DNA(95-100 度5min 快速冰浴,重復(fù)一次)10µl,100µl冰上融化的Y1HGold感受態(tài)細(xì)胞,PEG/LiAc 500µl,輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次;
3. 30℃水浴30min,每10min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次;
4. 每支加入20µl的二甲基亞砜(用以提高轉(zhuǎn)化效率,可不做);
5. 42℃水浴15min,每5min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次;
6. 12000rpm瞬時(shí)離心棄上清,每支加入1ml的YPD Plus(YPDA)于30℃復(fù)蘇1h(用以提高轉(zhuǎn)化效率,可不做);
7. 12000rpm瞬時(shí)離心棄上清,用100µl 0.9% NaCl重懸,涂板,30℃培養(yǎng)48-96h。
注意事項(xiàng):
1.PEG在低溫下易析出,請(qǐng)?jiān)诔叵聎an全溶解后使用。
2.轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。
3.同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
4.Y1HGold酵母菌株對(duì)高溫敏感,最適生長(zhǎng)溫度為27-30℃;高于31℃,生長(zhǎng)速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
5.菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長(zhǎng)中一個(gè)常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,Y1HGold的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylaminoimidazole(AIR)在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6.酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長(zhǎng)速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長(zhǎng)越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆;涂SD單缺平板29℃,48-60h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆。
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